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DTB結(jié)晶器更加符合實(shí)際生產(chǎn)的工況

更新時(shí)間:2021-05-31      點(diǎn)擊次數(shù):2086
  DTB結(jié)晶器是一種晶漿內(nèi)循環(huán)結(jié)晶器,其典型特點(diǎn)是結(jié)晶器內(nèi)部有攪拌器、導(dǎo)管和擋板,還有配套的熱交換裝置和細(xì)晶消除裝置。晶漿液從內(nèi)導(dǎo)流板底部通過內(nèi)置攪拌器上升,直到液面接觸到過飽和度較大的區(qū)域并消耗過飽和度。它還沿著內(nèi)部和外部導(dǎo)流筒之間的環(huán)形區(qū)域下降。在結(jié)晶器筒體與外偏轉(zhuǎn)器之間的環(huán)形間隙處,晶漿與澄清液分離,晶漿繼續(xù)向下循環(huán)。澄清后的液體從外環(huán)進(jìn)入細(xì)晶消除裝置,溶解多余的細(xì)晶核,保證晶核不會(huì)過多,使晶體粒度分布更均勻。
 

DTB結(jié)晶器

 

  DTB結(jié)晶器在蒸發(fā)結(jié)晶過程中,過飽和的產(chǎn)生速度取決于蒸發(fā)速度,即設(shè)備的蒸發(fā)強(qiáng)度。蒸發(fā)強(qiáng)度越大,產(chǎn)生過飽和的速度就越快,過飽和的可能性就越大。過飽和度的消除主要取決于晶體的自發(fā)成核和生長。如果結(jié)晶器內(nèi)有足夠的晶面和較快的生長速度,蒸發(fā)引起的所有過飽和度都能在晶面上生長,溶液的過飽和度不會(huì)超過溶液的較大過飽和度。通過成核過程消除溶質(zhì)的程度,以消除過飽和度,以免產(chǎn)生大量晶核。
  如果溶液中的晶面不足,晶體的生長不足以消除因蒸發(fā)引起的過飽和,使溶液過飽和度過高,而在不穩(wěn)定區(qū)域,溶液過飽和度會(huì)降低自發(fā)成核過程消耗過飽和度,從而形成大量細(xì)小顆粒。因此,在蒸發(fā)結(jié)晶過程中需要控制蒸發(fā)強(qiáng)度,使結(jié)晶體系的過飽和度始終處于結(jié)晶亞穩(wěn)區(qū)內(nèi),以保證設(shè)計(jì)的蒸發(fā)結(jié)晶設(shè)備能生產(chǎn)出滿足設(shè)計(jì)任務(wù)的產(chǎn)品。晶體在生長區(qū)停留時(shí)間越長,晶體生長時(shí)間越長,晶粒越大。大尺寸晶體的形成需要足夠的生長時(shí)間。基于準(zhǔn)確的結(jié)晶動(dòng)力學(xué)數(shù)據(jù),我們將根據(jù)設(shè)計(jì)任務(wù)中所需的晶體生長速度和粒度來設(shè)計(jì)合適的DTB結(jié)晶器。
 

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